光學平臺產(chǎn)品及廠家
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2026-01-15
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2026-01-15
oai model 212型桌面掩模對準系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2026-01-15
oai model 800e 型掩模對準系統(tǒng)，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2026-01-15
oai的面板掩模光刻機 model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時間:2026-01-15
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時間:2026-01-15
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2026-01-15
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2026-01-15
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學研究進入更高階段,同時具有高的性能、靈活性、可信度、實用性和速度。基于海思創(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達到了臺優(yōu)異納米力學測試儀
更新時間:2026-01-15
echo pro 全自動超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動判別缺陷, 高產(chǎn)量,無需人員重復(fù)設(shè)置, 自動烘干.
更新時間:2026-01-15
日本elionix 微細加式電子束曝光電子束直寫機els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細圖形。
更新時間:2026-01-15
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時間:2026-01-15
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學的肖特基場發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2026-01-15
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊，實現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進行灰度曝光
更新時間:2026-01-15
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時間:2026-01-15
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
更新時間:2026-01-15
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標區(qū)域進行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標精細定位或需對肉眼難以觀察的微小目標進行定點處理。
更新時間:2026-01-15
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學顯微鏡，臺階儀，光學輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2026-01-15
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2026-01-15
液體光學顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2026-01-15
美國 lakeshore 振動樣品磁強計 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學，更高效
更新時間:2026-01-15
德國yxlon 定制化的標準x射線檢測系統(tǒng)cheetah evo，為封裝檢測、半導(dǎo)體及實驗室應(yīng)用量身定制、
更新時間:2026-01-15
德國yxlon 定制化的緊湊型標準x射線檢測系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測、半導(dǎo)體及實驗室應(yīng)用量身定制
更新時間:2026-01-15
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學重要參數(shù)隨光源強度變化的曲線。
更新時間:2026-01-15
日本rion光遮蔽粒子計數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2026-01-15
日本rion液體光學顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時間:2026-01-15
日本rion粒子計數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2026-01-15
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2026-01-15
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2026-01-15
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2026-01-15
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計，對電子束直寫應(yīng)用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2026-01-15
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2026-01-15
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2026-01-15
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2026-01-15
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2026-01-15
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2026-01-15
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2026-01-15
日本rion 手持式粒子計數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2026-01-15
日本rion 手持式粒子計數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2026-01-15
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（2個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2026-01-15
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2026-01-15
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2026-01-15
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時間:2026-01-15
oai 800型光學正面和背面光刻機系統(tǒng), 是半自動,four-camera、光學正面和背面光刻機。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準精度,旨在大大超過任何紅外背后對準器性能的一個非常有競爭力的價格。通用模型800光刻機是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實驗室和大學。
更新時間:2026-01-15
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時間:2026-01-15
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